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      Infineon IGW20N60H3FKSA1 IGBT
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IGW20N60H3FKSA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon IGW20N60H3FKSA1 IGBT
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      Infineon TrenchStop IGBT 晶體管，600 和 650V
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            一系列 Infineon IGBT 晶體管，集電極-發(fā)射器電壓額定值為 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技術。該系列包括帶有集成高速、快速恢復反并聯(lián)二極管的設備。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            ? 集電極-發(fā)射器電壓范圍為 600 至 650V
      ? 極低的 VCEsat
      ? 低斷開損耗
      ? 短尾線電流
      ? 低 EMI
      ? 最大接點溫度為 175°C 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      IGBT 分立件和模塊，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    最大連續(xù)集電極電流
                    40 A
                
      
            
                
      
                    最大集電極-發(fā)射極電壓
                    600 V
                
      
            
                
      
                    最大柵極發(fā)射極電壓
                    ±20V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    170 W
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-247
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    開關速度
                    1MHz
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    尺寸
                    16.13 x 5.21 x 21.1mm
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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