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      International Rectifier IRFH3702TR2PBF MOSFET

      訂 貨 號:IRFH3702TR2PBF      品牌:TIF

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      International Rectifier IRFH3702TR2PBF MOSFET
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      N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon

      Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 16 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 QFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 7 mΩ
      通道模式 增強
      最大功率耗散 2.8 W
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      寬度 3mm
      長度 3mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 9.6 nC @ 4.5 V
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