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產(chǎn)品分類

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Nexperia PMV27UPEAR MOSFET

訂 貨 號(hào):PMV27UPEAR      品牌:PMV

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Nexperia PMV27UPEAR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí),P 溝道 MOSFET 將會(huì)特別適合您的設(shè)計(jì),我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列,基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V,采用中低功率封裝,提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

20 V,P 溝道 Trench MOSFET,P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
低閾值電壓
超快切換
增強(qiáng)型功耗能力:Ptot = 980 mW
靜電放電 (ESD) 保護(hù) 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
LED 驅(qū)動(dòng)器
電源管理
高側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 -5.6 A
最大漏源電壓 -20 V
封裝類型 SOT23, TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 63 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 -0.95V
最小柵閾值電壓 -0.45V
最大功率耗散 4150 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 8 V
長度 3mm
典型柵極電荷@Vgs 14.7 nC @ 10 V
寬度 1.4mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 3
暫無

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