當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí)，P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設(shè)計(jì)，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

20 V，P 溝道 Trench MOSFET，P 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
低閾值電壓
超快切換
增強(qiáng)型功耗能力：Ptot = 980 mW
靜電放電 (ESD) 保護(hù) 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
LED 驅(qū)動(dòng)器
電源管理
高側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路