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      Vishay SIHD11N80AE-GE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SIHD11N80AE-GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環 球 價：
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
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               Vishay SIHD11N80AE-GE3 MOSFET
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                
                    
      
                        
                            Vishay e 系列功率 mosfet 采用 dak （ o252 ）封裝類型、采用單配置。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            低品質因數 (FOM) Ron x Qg
      低有效電容（吻）
      減少切換和傳導損耗
      超低柵極電荷 (Qg)
      雪崩能量等級（ uis ）
      集成齊納二極管 esd 保護 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    8 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    800 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DPAK (TO-252)
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.391. Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2 → 4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
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