此新一代 MOSFET 設(shè)計旨在最大程度減少 RDS(接通)損耗但保持卓越的切換性能。此器件特別適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關(guān)。
100% 生產(chǎn)中非鉗制電感性開關(guān) (UIS) 測試
高熱效率封裝 – 應(yīng)用工作溫度更低
高轉(zhuǎn)換率
低 RDS(接通)- 可最大程度減少通態(tài)損耗
<1.1mm 封裝型 - 特別適用于薄應(yīng)用
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設(shè)備
應(yīng)用
開關(guān)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 17(狀態(tài))A,21(穩(wěn)定)A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | PowerDI5060 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 6 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.6V |
最小柵閾值電壓 | 1.6V |
最大功率耗散 | 3 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±25 V |
長度 | 6mm |
寬度 | 5.1mm |
典型柵極電荷@Vgs | 127 nC @ 10V |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |