N 通道 80V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 功率 MOSFET
最高 175 ° C 接點溫度
非常低的 QGD 可減少通過 VPlateau 時的功耗損失
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 150 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.8 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 375 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 4.65mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +175 °C |
長度 | 10.51mm |
典型柵極電荷@Vgs | 151.2 nc @ 10v |