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      威世 SI7956DP-T1-GE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SI7956DP-T1-GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               威世 SI7956DP-T1-GE3 MOSFET
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                            Vishay SI7956DP 是雙 N 通道 MOSFET ，具有 150V 的漏極到源 (VDS) 電壓。 柵極到源電壓 (VGS) 為 20V。它采用 Power PAK SO-8 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10 VGS 時為 0.105 歐姆， 6 VGS 時為 0.115 歐姆。最大漏極電流 4.1A。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            Trench FET 功率 MOSFET
      低接通電阻，采用新的低熱阻功率 PAK 封裝
      雙 MOSFET ，可節省空間
      經過 100 % Rg 測試 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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