Infineon ex場(chǎng) 功率 mosfet 汽車 Q101 具有 300V 的最大漏極源電壓、 19A 的最大連續(xù)漏極電流、采用 D2 封裝。它具有壓電注射潛能應(yīng)用。專門設(shè)計(jì)用于汽車應(yīng)用，此 HEXFET? 功率 MOSFET 利用最新工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。此設(shè)計(jì)的其他特點(diǎn)包括 175°c 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速切換速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些功能相結(jié)合、使此設(shè)計(jì)成為極其高效和可靠的設(shè)備、適用于汽車應(yīng)用和各種其他應(yīng)用。

先進(jìn)的工藝技術(shù)
低接通電阻
無(wú)鉛，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)