Micro semi 的 Microchip 碳化硅功率場效應(yīng)管 (MOSFET) 產(chǎn)品系列,在降低高壓應(yīng)用總成本的同時提高了硅 MOSFET 和硅 IGBT 解決方案的性能。
低電容和低柵極電荷
由于內(nèi)部柵極電阻低,可實現(xiàn)快速切換
在 TJ(max) = 175 ° 的高結(jié)溫下能夠穩(wěn)定工作
快速、可靠的體二極管
卓越的雪崩耐量
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 46 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
晶體管材料 | SiC |