Infineon 將最新的汽車 hex場 功率 mosfet 硅技術與先進 Advanced 封裝平臺結合，在采用 so-8 或 5X6mm p自 進封裝及僅 0.7mm 外形的封裝中，可提供卓越的性能。該封裝與電源應用、印刷電路板裝配設備和汽相、紅外或對流焊接技術等中使用的現有布局幾何結構兼容。該封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高汽車電源系統中的熱傳遞。
先進的工藝技術
邏輯水平
高功率密度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 112 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | Direct場 中型 can |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 9 |
| 最大漏源電阻值 | 0.003 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
