Infineon AUIRLR120NTRL MOSFET
產品詳細信息
Infineon 功率 MOSFET 利用最新處理技術，實現每硅區域低接通電阻。此優勢結合 HEXFET 功率非常適合聞名的快速切換速度和耐震設備設計，為設計人員提供極其高效和可靠的設備，適用于汽車和各種其他應用。
它是無鉛的
它符合 RoHS 標準
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
10 A |
| 最大漏源電壓 |
100 V |
| 封裝類型 |
DPAK |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
0.185 Ω |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大柵閾值電壓 |
2V |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
| 晶體管材料 |
硅 |
