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      Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET

      訂 貨 號:FF6MR12W2M1B11BOMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon 6 mo 、 1200 v 半橋模塊采用碳化硅 mosfet 、具有 ntc 溫度傳感器和壓配觸點技術。它還提供熱接口材料。

      高電流密度
      低電感設計
      低切換損耗
      符合 rohs 標準的模塊


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 200 A
      最大漏源電壓 1200 V
      封裝類型 Easy 2B ? / 模塊
      引腳數目 35
      最大漏源電阻值 0.00825 Ω μ m
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 5.55V
      每片芯片元件數目 2
      晶體管材料 SiC
      暫無

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