此 HEXFET? 功率 MOSFET 利用最新工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。此設(shè)計的其他功能包括 175°C 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速切換速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些功能相結(jié)合形成這款極其高效且可靠的器件,適合用于各種應(yīng)用。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
超低接通電阻
動態(tài) dv/dt 額定值
175°C 工作溫度
快速切換
重復(fù)雪崩允許高達(dá) Tjmax
無鉛
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 59 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | D2PAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 2 + Tab |
最大漏源電阻值 | 18 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 160 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 82 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 10.67mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
寬度 | 9.65mm |