Infineon IRFR3710ZTRLPBF MOSFET
產品詳細信息
此 hex場 效應功率 mosfet 利用最新的處理技術、在每個硅片區域實現極低的接通電阻。此設計的其他特點包括 175°c 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。
其設計極其高效且可靠
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
56 A |
| 最大漏源電壓 |
100 V |
| 封裝類型 |
DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
0.018. Ω |
| 最大柵閾值電壓 |
4V |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
