英飛凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技術(shù),實現(xiàn)了極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。本設(shè)計的其他特點包括 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 結(jié)溫、快速開關(guān)和更高的重復(fù)雪崩額定值。
高級加工技術(shù),
超低導(dǎo)通電阻,
工作溫度 175 ℃
快速開關(guān)
允許重復(fù)雪崩達 Tjmax
無鉛,符合 RoHS
符合汽車標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 160 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 通孔 |