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      產(chǎn)品分類(lèi)

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      +比較

      Infineon IGT60R190D1SATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IGT60R190D1SATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
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      Infineon IGT60R190D1SATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon mos ?設(shè)計(jì)是一項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù),它是根據(jù)超級(jí)連接( sj )原理設(shè)計(jì)的,由 Infineon 技術(shù)公司率先開(kāi)發(fā)的。cool mos ? P6 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和一流的創(chuàng)新。提供的器件具有快速切換 sj mosfet 的所有優(yōu)點(diǎn)、同時(shí)不會(huì)降低易用性。極低的切換和傳導(dǎo)損耗使切換應(yīng)用更高效、更緊湊、更輕、更涼爽。

      mosfet dv/dt 穩(wěn)定增加
      由于 fom rdson*qg 和 eoss 極低的損耗
      非常高的換向堅(jiān)固性
      無(wú)鉛鍍層無(wú)鹵模制化合物


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 12.5 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類(lèi)型 Pg/hsof - 8 - 3
      安裝類(lèi)型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 0.19. Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 1.6V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料
      暫無(wú)

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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