Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟(jì)高效的性能。CoolSiC MOSFET 技術(shù)利用了碳化硅的強(qiáng)大物理特性，增加了獨(dú)特的功能，可提高設(shè)備的性能，堅(jiān)固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先進(jìn)的溝道半導(dǎo)體構(gòu)建，經(jīng)過(guò)優(yōu)化可在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗和最高操作可靠性方面不受影響。

低電容
優(yōu)化了高電流時(shí)的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強(qiáng)的耐雪崩能力
可與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)程序一起使用