Infineon 設計是一 C7 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，符合超級連接（ sj ）原理，由 Infineon 技術開創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結合了領先的 sj mosfet 供應商的經驗和高級創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項技術。

適用于硬切換和軟切換（ pfc 和高性能 llc ）、將 mosfet dv/dt 堅固性提高到 120V / ns
由于同類最佳 fom rds （接通） * eoss 和 rds （接通） * qg 、提高了效率
同類最佳 rds （接通） / 封裝