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      產(chǎn)品分類

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      +比較

      IXYS IXFX66N85X MOSFET

      訂 貨 號(hào):IXFX66N85X      品牌:艾賽思_IXYS

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      IXYS IXFX66N85X MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      850V 超結(jié) X 類功率 MOSFET,具有快速體二極管,代表 IXYS 公司新推出的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。這些堅(jiān)固耐用的設(shè)備具有行業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻,在高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常高的功率密度。采用電荷補(bǔ)償原理和專有工藝技術(shù)開發(fā)而成,全新的 850V 設(shè)備具有最低通態(tài)電阻(例如,SOT-227 封裝為 33 毫歐,PLUS264 為 41 毫歐),并具有低柵極電荷和卓越的 dv/dt 性能。

      超低接通電阻 RDS(接通)和柵極電荷 Qg
      快速體二極管
      dv/dt 穩(wěn)定
      雪崩等級(jí)
      低封裝電感
      國際標(biāo)準(zhǔn)封裝


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 66 A
      最大漏源電壓 850 V
      封裝類型 PLUS247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 65 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5.5V
      最小柵閾值電壓 3.5V
      最大功率耗散 1.25 kW
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±30 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      長度 16.13mm
      寬度 5.21mm
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 230 nC @ 10 V
      暫無

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