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Infineon IPP062NE7N3GXKSA1 MOSFET

訂貨號：IPP062NE7N3GXKSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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公司基本資料信息

關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
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Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應用，在有限空間提供全部靈活性。這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。

快速切換 MOSFET，用于 SMPS
優(yōu)化技術(shù)，用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標應用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道，邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導通電阻 R DS(on)
無鉛電鍍

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	80 A
最大漏源電壓	75 V
封裝類型	TO-220
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	6.2 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	3.8V
最小柵閾值電壓	2.3V
最大功率耗散	136 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	Si
長度	10.36mm
典型柵極電荷@Vgs	42 nC @ 10 V
寬度	4.57mm
每片芯片元件數(shù)目	1

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