Infineon ? 小型信號晶體管 p 通道增強模式場效應晶體管（場效應晶體管），具有 20V 最大漏極源電壓，采用了采用了第 23 封裝類型。英飛凌公司的高度創新的最佳 mos ?系列產品包括 p 溝道功率高的功率半導體器件。這些產品始終滿足電源系統設計關鍵規格中高品質和性能要求、如通態電阻和品質因數特性。BSS84P 是 p 通道增強模式 mosfet 、采用小型表面安裝封裝、具有卓越的切換性能。此產品特別適用于低電壓、低電流應用。
增強型模式
邏輯電平
雪崩等級
快速切換
dv/dt 額定值
無鉛引線電鍍
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 620 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SC-59 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.8. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
