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      產品分類

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      Infineon IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IMBG65R107M1HXTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Infineon IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC,基于固體碳化硅技術,利用寬帶隙 SiC 材料特性,650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨特組合,適用于在高溫和惡劣環境中操作,可實現最高系統效率的簡化和具有成本效益的部署。

      更高電流時的優化切換行為,
      切換堅固的快速主體二極管,具有低 Qf,
      卓越的
      柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
      較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴溫度,
      增強的浪涌能力,
      與標準驅動器兼
      容,Kelvin 源提供高達 4 倍低的切換損耗


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 24 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 TO-263
      安裝類型 表面貼裝
      暫無

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