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訂 貨 號(hào):PMV280ENEAR 品牌:PMV
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
75 V - 200 V N 溝道 MOSFET,您現(xiàn)在已經(jīng)邁進(jìn)世界一流的標(biāo)準(zhǔn) MOS 產(chǎn)品系列,正尋找 75 V 至 200 V 范圍內(nèi)的高可靠性 MOSFET 來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)?我們的器件特別適合對(duì)空間和功率要求嚴(yán)苛的應(yīng)用,提供極佳的開(kāi)關(guān)性能和領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品的安全工作區(qū) (SOA)。例如,我們的 LFPAK 功率 MOSFET 系列具有超低 RDSon、高速開(kāi)關(guān)和高達(dá) 200 V 的電壓額定值。
100 V,N 溝道 Trench MOSFET,N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。
邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 1 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類(lèi)型 | SOT23, TO-236AB |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 892 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.7V |
最小柵閾值電壓 | 1.3V |
最大功率耗散 | 5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 20 V |
寬度 | 1.4mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 3 |
典型柵極電荷@Vgs | 10 V 時(shí),4.5 常閉 |
長(zhǎng)度 | 3mm |
最高工作溫度 | +150 °C |