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      Infineon IMW120R045M1XKSA1 MOSFET

      訂 貨 號:IMW120R045M1XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Infineon IMW120R045M1XKSA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon coolsic ? 1200 v 、 45 mΩ sic mosfet 采用 TO247 31-3 封裝,基于最先進的 trench 半導體工藝,經過優化可將性能與可靠性相結合。與基于硅( si )的傳統開關(如溝器和 mosfet )相比、 sic mosfet 具有一系列優勢。這些包括 1200 v 開關中可見的最低柵極電荷和設備電容水平、內部防換向主體二極管無反向恢復損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無閾值通態特性。coolsic ?高清器件特別適用于硬切換和諧振切換拓撲,如功率因數校正( pfc )電路、雙向拓撲和直流 - 直流轉換器或直流 - 交流變頻器。

      同類最佳的開關和傳導損耗
      基準高閾值電壓、 vth > 4 v
      0V 關閉柵極電壓、用于輕松簡單的柵極驅動
      寬柵 - 源電壓范圍
      堅固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
      溫度獨立關閉開關損耗


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 52 A
      最大漏源電壓 1700 V
      封裝類型 PG-TO247-3
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 45 米Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4.5V
      每片芯片元件數目 1
      暫無

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