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      onsemi FCP11N60N MOSFET

      訂 貨 號:FCP11N60N      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FCP11N60N MOSFET
      產品詳細信息

      SupreMOS? MOSFET,Fairchild Semiconductor

      Fairchild 推出了新一代 600V 超級結 MOSFET - SupreMOS?。
      與 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和總柵極電荷讓品質因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列為相同的 RDS(接通)提供低柵極電荷,提供極佳的切換性能,切換和傳導損耗降低 20%,從而獲得更高的效率。
      這些特征讓電源符合用于臺式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黃金分類和用于服務器的白金分類。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 10.8 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 300 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 94 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      晶體管材料 Si
      寬度 4.7mm
      長度 10.16mm
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 27.4 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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