射頻晶體管為 LDMOS，適用于范圍為 1 MHz 至 2 GHz 應用中的 L 頻段衛星上行鏈路和 DMOS 功率晶體管。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 1 A |
| 最大漏源電壓 | 65 V |
| 封裝類型 | PowerSO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 長度 | 7.5mm |
| 最高工作溫度 | +165 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.4mm |
| 晶體管材料 | Si |
