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      產(chǎn)品分類(lèi)

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      +比較

      美格納 MML60R190PTH MOSFET

      訂 貨 號(hào):MML60R190PTH      品牌:

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      美格納 MML60R190PTH MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      超級(jí)接線(xiàn)盒 (SJ) MOSFET

      這些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超級(jí)接線(xiàn)盒技術(shù)提供低接通電阻和柵極電荷。 通過(guò)采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可使其高效。

      低 EMI
      具有高速切換和低接通電阻,提供低功耗

      MOSFET 晶體管,MagnaChip


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 20 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類(lèi)型 I2PAK (TO-262)
      安裝類(lèi)型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 190 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最大功率耗散 154 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      典型柵極電荷@Vgs 51 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 4.63mm
      最高工作溫度 +150 °C
      長(zhǎng)度 10.29mm
      晶體管材料 Si
      暫無(wú)

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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