Fairchild Semiconductor 提供的解決方案可解決汽車市場的復雜難題,具有嚴謹?shù)馁|量控制、安全和可靠性標準。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 220 mA |
最大漏源電壓 | 25 V |
封裝類型 | SOT-363 (SC-70) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 7 Ω |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 0.65V |
最大功率耗散 | 300 mW |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | +8 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 1.25mm |
典型柵極電荷@Vgs | 0.29 nC @ 4.5 V |
長度 | 2mm |
最高工作溫度 | +150 °C |