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      Vishay SI3499DV-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SI3499DV-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Vishay SI3499DV-T1-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 3.9 A
      最大漏源電壓 8 V
      封裝類型 TSOP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 6
      最大漏源電阻值 48 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 0.35V
      最大功率耗散 1.1 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -5 V、+5 V
      寬度 1.7mm
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 3.1mm
      典型柵極電荷@Vgs 28 nC @ 4.5 V
      每片芯片元件數目 1
      晶體管材料 Si
      暫無

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