<rt id="m4md3"></rt>
  • <bdo id="m4md3"><meter id="m4md3"></meter></bdo>
  • <label id="m4md3"></label>
      <center id="m4md3"><optgroup id="m4md3"></optgroup></center>
      產品分類

      當前位置: 首頁 > 工業電子產品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

      +比較

      IXYS IXFH50N30Q3 MOSFET

      訂 貨 號:IXFH50N30Q3      品牌:艾賽思_IXYS

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

      -
      +

      公司基本資料信息







      • 關聯產品
      • 替代產品
      • 產品介紹
      • 產品屬性
      • 相關資料
      • 產品評價(0)
      IXYS IXFH50N30Q3 MOSFET
      產品詳細信息

      N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列

      HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應用,可提供帶有卓越強度的低柵極電荷。 該設備包含一個快速本質二極管且提供各種工業標準封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達 1100V 和 70A。 典型應用包括直流-直流轉換器、電池充電器、開關模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

      快速本質整流器二極管
      低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
      低本質柵極電阻
      工業標準封裝
      低封裝電感
      高功率密度

      MOSFET 晶體管,IXYS

      IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 50 A
      最大漏源電壓 300 V
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 80 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 6.5V
      最大功率耗散 690 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      典型柵極電荷@Vgs 65 nC @ 10 V
      每片芯片元件數目 1
      長度 16.26mm
      寬度 5.3mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      暫無

      正在載入評論詳細...
      主站蜘蛛池模板: 伊人久久亚洲综合影院| 99久久亚洲综合精品成人网| 久久综合综合久久综合| 99久久亚洲综合精品成人网| 婷婷丁香五月激情综合| 色综合久久久久综合99| 色综合91久久精品中文字幕| 狠狠综合视频精品播放| 亚洲综合图色40p| 2020久久精品亚洲热综合一本| 色综合久久88色综合天天| 九色综合九色综合色鬼| 91精品国产色综合久久不卡蜜| 国产综合精品一区二区| 久久婷婷成人综合色| 天天欲色成人综合网站| 久久综合香蕉久久久久久久| 狠狠色伊人亚洲综合网站色| 久久综合伊人77777麻豆| 国产91色综合久久免费| 狠狠色丁香久久综合五月| 色噜噜狠狠色综合欧洲selulu| 激情综合丝袜美女一区二区| 2020久久精品亚洲热综合一本| 久久综合给合久久国产免费| 国产亚洲精品精品国产亚洲综合| 98精品国产综合久久| 精品亚洲综合在线第一区| 激情综合色五月六月婷婷| 伊人久久婷婷五月综合97色| 久久一日本道色综合久久| 亚洲综合激情六月婷婷在线观看| 综合色就爱涩涩涩综合婷婷 | 国产亚洲综合网曝门系列| 久久婷婷成人综合色综合| 亚洲狠狠色丁香婷婷综合| AV色综合久久天堂AV色综合在| 五月婷婷综合免费| 色婷婷六月亚洲综合香蕉| 色偷偷狠狠色综合网| 久久综合狠狠色综合伊人|