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Infineon IRLML2803TRPBF MOSFET

訂貨號：IRLML2803TRPBF 品牌：國際整流器_IR

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N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	1.2 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SOT-23
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	250 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	1V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	540 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	3.3 nC @ 10 V
寬度	1.4mm
長度	3.04mm

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