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      Vishay SIHG33N60EF-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIHG33N60EF-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      Vishay SiHG33N60EF-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      N 通道 MOSFET,帶快速二極管,EF 系列,Vishay Semiconductor

      減少反向恢復時間、反向恢復電荷和反向恢復電流
      低品質因數 (FOM)
      低輸入電容 (Ciss)
      由于低反向恢復電荷,提高了堅固性
      超低柵極電荷 (Qg)

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 33 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 TO-247AC
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 98 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 278 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      每片芯片元件數目 1
      晶體管材料 Si
      寬度 5.31mm
      典型柵極電荷@Vgs 103 nC @ 10 V
      長度 15.87mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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