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      產(chǎn)品分類

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      MagnaChip MDD6N60GRH MOSFET

      訂 貨 號:MDD6N60GRH      品牌:

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

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      MagnaChip MDD6N60GRH MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      高電壓 (HV) MOSFET

      高電壓,N 通道 MOSFET,帶低通態(tài)電阻和高切換性能。

      MOSFET 晶體管,MagnaChip


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 4.5 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 1.45 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5V
      最大功率耗散 73 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      長度 6.73mm
      典型柵極電荷@Vgs 15.3 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 6.22mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      暫無

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