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      MagnaChip MDD1903RH MOSFET

      訂 貨 號:MDD1903RH      品牌:

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      MagnaChip MDD1903RH MOSFET
      產品詳細信息

      低電壓 (LV) MOSFET

      這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態(tài)電阻和快速切換性能。

      MOSFET 晶體管,MagnaChip


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 12.8 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 110 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 36.8 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 6.73mm
      典型柵極電荷@Vgs 8.8 nC @ 10 V
      晶體管材料 Si
      寬度 6.22mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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