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      Infineon IRFU9024NPBF MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IRFU9024NPBF        品牌：國際整流器_IR
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價：
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
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               Infineon IRFU9024NPBF MOSFET
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件，以及可應對幾乎所有電路板布局和散熱設計難題的外形尺寸。在整個系列內，電阻基準降低了傳導損耗，使設計人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
                
      
                    http://media.rs-online.com/t_line/LB1POLAR-21.gif
                
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    P
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    11 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    55 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    IPAK (TO-251)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    175 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    2V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    38 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    2.39mm
                
      
            
                
      
                    長度
                    6.73mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    19 nC @ 10 V
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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