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Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1 MOSFET

訂貨號(hào)：BSZ086P03NS3EGATMA1 品牌：GAT

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設(shè)計(jì)用于提供增強(qiáng)功能，以滿足高質(zhì)量性能要求。功能包括超低開(kāi)關(guān)損耗，通態(tài)電阻，雪崩額定值以及通過(guò)AEC認(rèn)證的汽車解決方案。應(yīng)用包括DC-DC，電機(jī)控制，汽車和eMobility。

增強(qiáng)模式
耐雪崩等級(jí)
低切換和傳導(dǎo)功率損耗
無(wú)鉛引線電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	40 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	TSDSON
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	13.4 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	1.9V
最小柵閾值電壓	3.1V
最大功率耗散	69 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
寬度	3.4mm
長(zhǎng)度	3.4mm
典型柵極電荷@Vgs	43.2 nC @ 10 V
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si

暫無(wú)

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