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      Vishay SIRA00DP-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIRA00DP-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Vishay SIRA00DP-T1-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      N 通道 MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay Semiconductor

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 100 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 PowerPAK SO
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 1.35 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 1.1V
      最大功率耗散 104 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -16 V,+20 V
      每片芯片元件數目 1
      寬度 5.26mm
      典型柵極電荷@Vgs 147 nC @ 10 V
      長度 6.25mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      暫無

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