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      onsemi FDP023N08B_F102 MOSFET

      訂 貨 號:FDP023N08B_F102      品牌:安森美_Onsemi

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      onsemi FDP023N08B_F102 MOSFET
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      PowerTrench? N 通道 MOSFET,超過 60A,Fairchild Semiconductor

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 242 A
      最大漏源電壓 75 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 2.3 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 245 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      長度 10.1mm
      最高工作溫度 +175 °C
      典型柵極電荷@Vgs 150 nC @ 10 V
      每片芯片元件數目 1
      寬度 4.7mm
      晶體管材料 Si
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