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      onsemi FDD8N50NZTM MOSFET

      訂 貨 號:FDD8N50NZTM      品牌:安森美_Onsemi

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      onsemi FDD8N50NZTM MOSFET
      產品詳細信息

      UniFET? N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

      UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外,內部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應力。
      UniFET? MOSFET 適用于開關電源轉換器應用,如功率因數校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX(先進技術擴展)和電子燈鎮流器。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 6.9 A
      最大漏源電壓 500 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 850 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 90 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -25 V、+25 V
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      長度 6.73mm
      典型柵極電荷@Vgs 14 nC @ 25 V
      寬度 6.22mm
      每片芯片元件數目 1
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