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onsemi FDD8N50NZTM MOSFET

訂貨號：FDD8N50NZTM 品牌：安森美_Onsemi

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UniFET? N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻，還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強(qiáng)度。此外，內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。
UniFET? MOSFET 適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)展）和電子燈鎮(zhèn)流器。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	6.9 A
最大漏源電壓	500 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	850 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	3V
最大功率耗散	90 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
最高工作溫度	+150 °C
晶體管材料	Si
長度	6.73mm
典型柵極電荷@Vgs	14 nC @ 25 V
寬度	6.22mm
每片芯片元件數(shù)目	1

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