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onsemi FQP9N90C MOSFET

訂貨號：FQP9N90C 品牌：安森美_Onsemi

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QFET? N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動控制。
它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	8 A
最大漏源電壓	900 V
封裝類型	TO-220AB
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	1.4 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	3V
最大功率耗散	205000 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	45 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
寬度	4.7mm
長度	10.1mm
最高工作溫度	+150 °C

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