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      產(chǎn)品分類

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      Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SI2365EDS-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 4.7 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 SOT-23 (TO-236)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 67.5 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最小柵閾值電壓 0.4V
      最大功率耗散 1.7 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -8 V、+8 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 23.8 nC @ 8 V
      寬度 1.4mm
      長(zhǎng)度 3.04mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無(wú)

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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