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onsemi BS170 MOSFET

訂貨號：BS170 品牌：安森美_Onsemi

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半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

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在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	500 mA
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	TO-92
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	5 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	3V
最小柵閾值電壓	0.8V
最大功率耗散	830 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	4.19mm
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+150 °C
長度	5.2mm
晶體管材料	Si

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