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      onsemi FDV301N MOSFET

      訂 貨 號:FDV301N      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FDV301N MOSFET
      產品詳細信息

      增強模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

      增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 500 mA
      最大漏源電壓 25 V
      封裝類型 SOT-23
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 9 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 1.06V
      最小柵閾值電壓 0.7V
      最大功率耗散 350 mW
      晶體管配置
      最大柵源電壓 +8 V
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數目 1
      寬度 1.3mm
      典型柵極電荷@Vgs 0.49 nC @ 4.5 V
      長度 2.92mm
      晶體管材料 Si
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