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Infineon IRF530NSTRLPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRF530NSTRLPBF 品牌：意法半導(dǎo)體_ST

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線(xiàn)封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問(wèn)題。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	N
最大連續(xù)漏極電流	17 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類(lèi)型	D2PAK (TO-263)
安裝類(lèi)型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	90 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	70 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
晶體管材料	Si
寬度	9.65mm
典型柵極電荷@Vgs	37 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+175 °C
長(zhǎng)度	10.67mm

暫無(wú)

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