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      onsemi FCH041N65F_F155 MOSFET

      訂 貨 號:FCH041N65F_F155      品牌:安森美_Onsemi

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      onsemi FCH041N65F_F155 MOSFET
      產品詳細信息

      SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

      Fairchild 使用超級結技術增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅固主體二極管性能,適用于要求高功率密度、系統效率和可靠性的交流-直流開關模式電源 (SMPS) 應用,如服務器、電信、計算、工業電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應用。
      利用先進的電荷平衡技術,設計人員可實現更高效經濟的高性能解決方案,可占用更少板空間并提高可靠性。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 76 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 41 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 595 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數目 1
      寬度 4.82mm
      典型柵極電荷@Vgs 226 nC @ 10 V
      長度 15.87mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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