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訂 貨 號:FDN337N 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。
在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.2 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOT-23 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 65 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 0.4V |
最大功率耗散 | 500 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -8 V、+8 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 1.4mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 2.92mm |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 7 nC @ 4.5 V |