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MagnaChip MMF60R190PTH MOSFET

訂貨號：MMF60R190PTH 品牌：

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超級接線盒 (SJ) MOSFET

這些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超級接線盒技術(shù)提供低接通電阻和柵極電荷。通過采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可使其高效。

低 EMI
具有高速切換和低接通電阻，提供低功耗

MOSFET 晶體管，MagnaChip

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	20 A
最大漏源電壓	600 V
封裝類型	TO-220F
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	190 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
最大功率耗散	34 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	4.93mm
典型柵極電荷@Vgs	51 nC @ 10 V
長度	10.71mm
最高工作溫度	+150 °C
晶體管材料	Si

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